Norma Brasileira
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Vigente

*Trata-se de uma campanha promocional que permite a visualização de uma norma, a qual está sendo pesquisada, somente uma vez, mediante cadastro e validação de e-mail, que será usado para fins de divulgação de produtos e serviços Target. O usuário beneficiário dessa campanha promocional declara estar ciente dessas condições, dos nossos Termos e Condições de Uso e Política de Privacidade.

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Este ensaio é utilizado para determinar os efeitos da polarização e da temperatura ao longo do tempo nos dispositivos de estado sólido. Simula a operação em um dispositivo de forma acelerada e destinase principalmente a qualificação e monitoração da confiabilidade dos dispositivos. Uma forma de ensaio de vida em alta temperatura usando período curto de tempo, popularmente conhecido como burn-in, pode ser usado para detectar falhas relacionadas à mortalidade infantil. Detalhes do uso e aplicação de burn-in não fazem parte do escopo desta Norma.

Título em inglês

Semiconductor devices — Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life

Comitê

ELETRICIDADE

Número de páginas

5 páginas

02/2022 Publicada confirmação
11/2016 Publicada confirmação
07/2012 Publicada nova edição
01/2011 Publicada edição
IEC 60749-23 Ed. 1.1 b
IEC 60747-1 Ed. 2.0 b
IEC 60747-1 Ed. 2.1 b
IEC 60747-10 Ed. 2.0 b
IEC 60747-11 Ed. 1.0 b
IEC 60747-14-1 Ed. 2.0 b
IEC 60747-14-3 Ed. 2.0 b
IEC 60747-14-4 Ed. 1.0 b
IEC 60747-14-5 Ed. 1.0 b
IEC 60747-16-3 Ed. 1.0 b
IEC 60747-16-3 Ed. 1.1 b
IEC 60747-16-4 Ed. 1.0 b
IEC 60747-16-4 Ed. 1.1 b
IEC 60747-2 Ed. 2.0 b
IEC 60747-2-2 Ed. 1.0 b
IEC 60747-3 Ed. 1.0 b
IEC 60747-4 Ed. 2.0 b
IEC 60747-5-1 Ed. 1.0 b
IEC 60747-5-1 Ed. 1.2 b
IEC 60747-5-2 Ed. 1.0 b
IEC 60747-5-2 Ed. 1.1 b
IEC 60747-5-3 Ed. 1.0 b
IEC 60747-5-3 Ed. 1.1 b
IEC 60747-5-4 Ed. 1.0 b
IEC 60747-5-5 Ed. 1.0 b
IEC 60747-6 Ed. 2.0 b
IEC 60747-6-3 Ed. 1.0 b
IEC 60747-7 Ed. 2.0 b
IEC 60747-8 Ed. 2.0 b
IEC 60747-8-2 Ed. 1.0 b
IEC 60747-8-3 Ed. 1.0 b
IEC 60747-8-4 Ed. 1.0 b
IEC 60747-9 Ed. 2.0 b
IEC 60749-34 Ed. 2.0 b
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